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革新的SCRIT電子散乱法の高度化によるSn不安定同位体の電荷密度分布精密測定

研究課題

研究課題/領域番号 23H05436
研究種目

基盤研究(S)

配分区分補助金
審査区分 大区分B
研究機関京都大学

研究代表者

若杉 昌徳  京都大学, 化学研究所, 教授 (70250107)

研究分担者 小川原 亮  国立研究開発法人理化学研究所, 仁科加速器科学研究センター, 技師 (00807729)
頓宮 拓  京都大学, 化学研究所, 技術職員 (10397523)
塚田 暁  京都大学, 化学研究所, 准教授 (10422073)
大西 哲哉  国立研究開発法人理化学研究所, 仁科加速器科学研究センター, 部長 (50360516)
研究期間 (年度) 2023-04-12 – 2028-03-31
研究課題ステータス 交付 (2024年度)
配分額 *注記
201,240千円 (直接経費: 154,800千円、間接経費: 46,440千円)
2025年度: 47,450千円 (直接経費: 36,500千円、間接経費: 10,950千円)
2024年度: 83,980千円 (直接経費: 64,600千円、間接経費: 19,380千円)
2023年度: 24,960千円 (直接経費: 19,200千円、間接経費: 5,760千円)
キーワード電子散乱 / 不安定核 / 不安定原子核 / 電荷密度分布 / 不安定核静止標的
研究開始時の研究の概要

我々は本研究において、SCRIT法の高度化を図ることで、RIの電荷密度分布(陽子分布)の精密化、非弾性散乱や準弾性散乱によるさらに詳細な内部構造研究への発展、および生成量の少ないRIへの研究展開を目指した実験手法を確立する。SCRIT法に新しい技術的アイデアを導入することで、衝突頻度を一桁向上させ、さらにバックグラウンドを激減させる。これを用いて二重魔法数核132Snを挟んだSn同位体(126-134Sn)に対して高統計で低BGの弾性散乱断面積を測定し電荷密度分布を高精度で決定する。

報告書

(2件)
  • 2023 研究概要(採択時) ( PDF )   審査結果の所見

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公開日: 2023-04-13   更新日: 2025-04-17  

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