研究課題/領域番号 |
23H05463
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研究種目 |
基盤研究(S)
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配分区分 | 補助金 |
審査区分 |
大区分D
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研究機関 | 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所 |
研究代表者 |
山口 浩司 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, フロンティア機能物性研究部, フェロー (60374071)
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研究分担者 |
林 将光 東京大学, 大学院理学系研究科(理学部), 准教授 (70517854)
畑中 大樹 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, フロンティア機能物性研究部, 主任研究員 (60601771)
黒子 めぐみ 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, フロンティア機能物性研究部, 研究主任 (90898587)
浅野 元紀 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, フロンティア機能物性研究部, 准特別研究員 (60867224)
岡本 創 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, フロンティア機能物性研究部, 特別研究員 (20350465)
谷保 芳孝 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 多元マテリアル創造科学研究部, 上席特別研究員 (20393738)
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研究期間 (年度) |
2023-04-12 – 2028-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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配分額 *注記 |
205,530千円 (直接経費: 158,100千円、間接経費: 47,430千円)
2024年度: 94,250千円 (直接経費: 72,500千円、間接経費: 21,750千円)
2023年度: 68,640千円 (直接経費: 52,800千円、間接経費: 15,840千円)
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キーワード | マグノフォノニクス / ナノメカニクス / スピントロニクス / オプトメカニクス / ナノテクノロジー |
研究開始時の研究の概要 |
本研究では、次世代の不揮発性メモリーとして実用化が進んでいる強磁性体とフォノニック共振器との結合動作を実現し、強磁性体に特徴的な物性を活用した新しいフォノニックデバイス技術を実現する。具体的には、磁性体ならびに共振器構造を最適化し、応用上最も重要な要素技術である「磁化状態による共振制御」ならびに「フォノニック信号による磁化状態制御」の二点に注視し、その実現と多機能化を目指す。また高速動作に向けて、人工反強磁性材料や窒化物半導体薄膜によるバルク共振器、オプトメカニクスによるセンシングなどを用い、ミリ波帯という高い周波数帯においても動作可能なオンチップ超高速マグノフォノニック技術の確立を目指す。
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