磁性体の非線形応答における散逸と非保存性の理論

• 研究課題/領域番号: 23K03275
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分13020:半導体、光物性および原子物理関連
• 研究機関: 東京工業大学
• 研究代表者: 石塚 大晃 東京工業大学, 理学院, 准教授 (00786014)
• 研究期間 (年度): 2023-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2023年度)
• 配分額: 4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円); 2027年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円); 2026年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円); 2025年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円); 2024年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円); 2023年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
• キーワード: 非線形応答 / スピン流 / 軌道流

研究開始時の研究の概要

光によるスピン流の整流は，光による磁性の制御を目指す光スピントロニクスの観点から興味深い機能性である．この現象では，光の照射によるスピン流の発生を起源として試料の両端に角運動量が蓄積する．この試料端に蓄積する角運動量の大きさには，光誘起スピン流の大きさに加えて角運動量の散逸やスピン軌道相互作用による角運動量の非保存性が大きく影響する．そこで，本課題では角運動量の散逸と非保存性が光誘起スピン流に与える影響を明らかにする．