研究課題
基盤研究(C)
2バンド系の非線形Hall効果のバンド間機構を新たに確立するために、①2次元massive Dirac電子系における非線形Hall効果のバンド間機構(Zenerトンネルに伴うside jump)のモデルを構築し、②有機導体α-(BEDT-TTF)2I3の圧力下の弱い電荷秩序状態における非線形Hall効果の精密測定により、バンド間機構の寄与の存在を実証する。さらに③磁性トポロジカル絶縁体MnBi2Te4薄膜の表面状態が示す異常Hall効果がバンド間機構由来の3次非線形成分を持つことを検証する。