研究課題
基盤研究(C)
本研究では、正負イオンおよびラジカルの活性種の時空間計測により高アスペクト比孔内の輸送特性の実験的解明を試みる。高アスペクト比エッチングは、アスペクト比の増加に伴い孔内底面へのラジカルおよびイオン供給不足によりエッチングレートが低下する問題を抱えている。バイアス電力をさらに増加させ活性種供給律速の問題を避けているが、この超高電力消費は環境・エネルギー問題の観点から解決すべき課題であり、超高アスペクト比孔内の活性種の輸送特性の実験的解明は、全人類の喫緊の課題である半導体製造プロセスのグリーン化に貢献し、次世代半導体デバイス製造のためのすべてのプラズマプロセスに資する科学的基盤の構築に寄与する。