プラズマアニールによる半導体材料の欠陥修復メカニズムの解明

• 研究課題/領域番号: 23K03374
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分14030:プラズマ応用科学関連
• 研究機関: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
• 研究代表者: 布村 正太 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 上級主任研究員 (50415725)
• 研究期間 (年度): 2023-04-01 – 2026-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2023年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2025年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円); 2024年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円); 2023年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
• キーワード: 欠陥修復 / 低欠陥プロセス / 先端半導体 / 太陽電池 / イメージセンサー

研究開始時の研究の概要

プラズマアニールのメカニズムを解明し、熱アニールでは実現不可能な新しい非平衡アニール法を開拓する。具体的には、次の３テーマに関する研究を進める。１．イオンによる材料の表面加熱と構造緩和の観測と制御、２．ラジカルと欠陥の反応解明と制御、３．イオン・ラジカル同時照射による欠陥不活性化機構の解明。材料内のエネルギーと粒子輸送、並びに、反応の素過程を考察する。