研究課題
基盤研究(C)
広い範囲の素粒子標準模型を超える物理における新粒子の生成断面積等の素粒子現象をその輻射補正を含めて系統的に計算することができ、なおかつ、標準模型粒子の精密測定に使用される標準模型有効理論(SMEFT)やヒッグス有効理論(HEFT)との親和性も高い有効理論を構築し、なるべく簡便な形で新粒子の生成断面積等の計算を実行可能な理論形式を確立することを目指す。