極薄Siウェハのピエゾ効果に関する研究と有機基板へのフレキシブル実装の検討

• 研究課題/領域番号: 23K03577
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分18010:材料力学および機械材料関連
• 研究機関: 鹿児島大学
• 研究代表者: 小金丸 正明 鹿児島大学, 理工学域工学系, 准教授 (20416506)
• 研究期間 (年度): 2023-04-01 – 2026-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2023年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2025年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円); 2024年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円); 2023年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
• キーワード: ピエゾ効果 / シリコン / ひずみ / 応力 / 有機基板

研究開始時の研究の概要

Siデバイスの3次元積層にはチップの薄型化が必須であるが、極薄化されたSiチップは実装により大きく変形することが想定される。Siチップの変形・ひずみは、チップ上デバイスの電気特性変動を引き起こすため、その予測・対策が必須となる。本研究では、極薄化されたSiウェハ上のデバイスの変形下を含む電気的挙動を明らかにする。さらに、極薄Siデバイスをフレキシブル有機基板に実装し、フレキシブル性を有する無機－有機のハイブリッドシステムの実現可能性について基礎的検討を行う。