研究課題
基盤研究(C)
単結晶ダイヤモンド及びその関連材料(多結晶ダイヤモンド,ダイヤモンドライクカーボン,CVDダイヤモンド)は,次世代パワー半導体デバイス用基板や超精密金型代替材料,切削加工用工具など,さまざまな工業分野におけるキーマテリアルとして期待されている.しかしながら,ダイヤモンドの持つ高い硬度と化学的安定性のため,加工することが難しく,ダイヤモンドの加工技術の開発が技術的課題となっている.本研究では,摩擦環境下で生じるプラズマ(トライボプラズマ)を利用したダイヤモンドの高能率ドライエッチング法を開発し,高精度なダイヤモンド基板の加工を実現することを目的としている.