| 研究課題/領域番号 |
23K03810
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 審査区分 |
小区分21010:電力工学関連
|
|---|
| 研究機関 | 弘前大学 |
|---|
研究代表者 |
金本 俊幾 弘前大学, 理工学研究科, 教授 (30782750)
|
|---|
| 研究分担者 |
中澤 日出樹 弘前大学, 理工学研究科, 教授 (90344613)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
|
| 研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2025年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2024年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2023年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
|
|---|
| キーワード | パワーデバイス / 半導体 / 設計技術 / 人工知能 / 最適化 |
|---|
| 研究開始時の研究の概要 |
本研究は、対象を電力変換向けパワートランジスタ、とくにMOSとBJTの要素を同時に有するSi基板上のIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等とする。デバイス寸法やキャリア濃度などの構造パラメータに対する電気特性の振る舞いを明らかにし、所望の電気特性を実現する構造パラメータの決定手法を確立する。AI(Artificial Intelligence)に関するデータサイエンスの手法を駆使することにより、試作を重ねることなくデバイスの３次元構造を決定し、多様な要求に遅滞なく応えるデバイス構造設計技術を実現する。
|
