シリコン超低損失スーパージャンクションダーリントン型パワーデバイスの研究開発

• 研究課題/領域番号: 23K03814
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分21010:電力工学関連
• 研究機関: 山梨大学
• 研究代表者: 矢野 浩司 山梨大学, 大学院総合研究部, 教授 (90252014)
• 研究分担者: 松本 俊 山梨大学, 大学院総合研究部, 教授 (00020503)
• 研究期間 (年度): 2023-04-01 – 2026-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2023年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2025年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円); 2024年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円); 2023年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
• キーワード: パワーデバイス / シリコンデバイス / スーパージャンクション

研究開始時の研究の概要

低コスト・低損失パワー半導体の実現に向けて、研究代表者等は世界初のシリコンスーパージャンクション型バイポーラトランジスタ（Si-SJBJT）を開発した。Si-SJBJTは、同電圧定格のSiCやGaN等ワイドバンドギャップトランジスタに迫る超低オン抵抗を有するが電流駆動型であり、入力損失が比較的大きく駆動回路が複雑であるため、本研究ではこの課題を解決するためSi-SJBJTとSi-スーパージャンクションMOSFETを1チップ化した新規低オン抵抗・高速スイッチング性能を有する電圧駆動型ダブルゲートダーリントントランジスタおよびその高速駆動回路を開発し、競合デバイスに対する優位性を明確化する。