研究課題
基盤研究(C)
可視光用半導体イメージセンサと画像処理技術を組み合わせ、中赤外線レーザのビームプロファイルを高精度に計測する技術を開発する。半導体イメージセンサに中赤外線レーザを照射すると、レーザスポットの温度分布に応じた熱励起電子の分布画像が得られる。この画像は熱拡散によるボケを伴うためビーム形状を精度よく評価するにはこれを取り除く必要がある。そこで本研究では熱励起電子の分布画像に、実験的に導出した点像分布関数による逆畳み込み演算を施す。これにより画像のボケを除去し、入射した中赤外線レーザのビーム形状を高精度に計測する技術を開発する。