研究課題
基盤研究(C)
海水中のpH計測と海水中イオンのゲート絶縁膜への浸潤によるFET特性の変動に焦点を絞り、pHならびにイオン濃度を同時に長期間安定に測定するFET型センサーの開発をおこなう。これを実現するためには、(1)CMOS作製技術と親和性の高い材料・手法により基板ならびに配線との電気化学反応を抑制する材料、デバイス構造およびこれらのインテグレーション技術の確立が必須となる。さらに、イオン検知部であるゲート絶縁膜に浸潤したイオンによるFET特性変動により、浸潤物質の特定ならびに測定pHの補正を同時に行うことが可能な手法を提案する。