| 研究課題/領域番号 |
23K03920
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分21050:電気電子材料工学関連
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| 研究機関 | 北見工業大学 |
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研究代表者 |
佐藤 勝 北見工業大学, 工学部, 准教授 (10636682)
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| 研究分担者 |
横川 慎二 電気通信大学, i－パワードエネルギー・システム研究センター, 教授 (40718532)
武山 眞弓 北見工業大学, 工学部, 教授 (80236512)
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| 研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2025年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2024年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2023年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | LSI / 低消費電力 / 配線 / トランジスタ |
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| 研究開始時の研究の概要 |
近年の半導体不足が深刻化し、国内で半導体製造を行う動きが加速している。その中にあって、３次元集積回路では配線によるトランジスタへの電圧供給の低下や消費電力の増加の問題が顕在化してきた。本研究では、従来技術の諸問題を解決する最重要要素技術して位置づけられている高性能裏面配線技術を導入した新たな半導体製造の実現に向けた配線の低温成膜技術を検討する。特に、申請者らが他社の追随を許さない独壇場となっている低温成膜技術を裏面配線構造に応用することで、高機能な拡散バリヤや絶縁膜を実現することが可能となる。この研究の成果は、国内外を問わず、半導体産業の発展にも大きく貢献できるものと考えている。
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