| 研究課題/領域番号 |
23K03930
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分21050:電気電子材料工学関連
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| 研究機関 | 神奈川大学 |
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研究代表者 |
星野 靖 神奈川大学, 理学部, 准教授 (70454527)
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| 研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2025年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2024年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2023年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | イオン注入 / 不純物ドーピング / ダイヤモンド半導体 / 電気的活性化 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
ダイヤモンドは、どの物性値を取っても現在実用化されているSi, SiC, GaN等をはるかに凌ぐ優れた物性を有し、究極の省エネルギーパワーデバイスとして期待されている。本研究においては、p型・n型両伝導領域の形成制御とドーパント原子の電気的活性化を実現し、電子デバイス作製への道筋をつける。特に、イオン注入によるダイヤモンドへの不純物ドーピングにより、広い濃度範囲でのp型及びn型両伝導領域の形成と電気的活性化、デバイスへの応用を目指す。
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