研究課題
基盤研究(C)
磁気トンネル接合(MTJ)をより広く実用化させるためには、室温で高い磁気抵抗比(TMR比)を達成する必要がある。しかし従来のMTJにおいて、TMR比は温度上昇と共に大きく低下することが知られてきた。本研究では、この現象を理解するために申請者が提唱したアイデア「界面s-d交換メカニズム」の定量的検証を行う。複数のMTJにおいて、第一原理計算を用いて界面s-d交換相互作用を求め、TMR比の温度依存性を計算する。これを実験結果と比較することで、界面s-d交換メカニズムがTMR比の温度依存性を定量的に説明しうるかを明らかにする。