研究課題/領域番号 |
23K03934
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分21050:電気電子材料工学関連
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研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
研究代表者 |
首藤 浩文 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 磁性・スピントロニクス材料研究センター, 主任研究員 (00912940)
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研究分担者 |
磯上 慎二 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 磁性・スピントロニクス材料研究センター, 主任研究員 (10586853)
増田 啓介 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 磁性・スピントロニクス材料研究センター, 主任研究員 (40732178)
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研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2025年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2024年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2023年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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キーワード | ハーフメタル材料 / ホイスラー合金 / 負のスピン分極率 / 磁気記録 / マイクロ波アシスト |
研究開始時の研究の概要 |
スピントロニクスデバイス技術の進展に伴い、新規デバイス構造・デバイス動作を実現できる「負のスピン分極材料」の重要性が高まっている。しかしながら、これまでのスピントロニクス材料の研究は正のスピン分極材料に集中しており、負のスピン分極材料は圧倒的に未開拓である。高い負のスピン分極を有する材料の開発とその学術的理解を目標として、第一原理計算、スパッタ法による膜の作製、デバイス作製と評価を行う。これにより、次世代のHDD向けスピントルク発振素子といった応用に資する負のスピン分極材料の開発とその有用性の実証を行う。
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