研究課題/領域番号 |
23K03937
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分21050:電気電子材料工学関連
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研究機関 | 東京大学 |
研究代表者 |
山原 弘靖 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 助教 (30725271)
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研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2025年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2024年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2023年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
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キーワード | スピンクラスターグラス / スピングラス / 秩序度 / エピタキシャル薄膜成長 / 磁性材料 |
研究開始時の研究の概要 |
スピングラス(クラスターグラス)はランダムな磁気相互作用の競合(フラストレーション)によって低温でスピンが凍結した状態を取る物質である。光誘起磁性やエージングメモリ効果の特徴的な記憶性質を示し、脳型記憶素子の応用に向けて精力的な研究が為されている。本研究では高温スピングラスの実現と脳型記憶素子応用を目的とし、スピングラスの核心であるランダムネス(無秩序)の制御に焦点を当てる。従来の磁性元素の自然拡散による無秩序に対して、エピタキシャル薄膜成長技術を駆使することにより秩序度エンジニアリングを実現し、新規高温スピンクラスターグラスを創造する。
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