研究課題/領域番号 |
23K03941
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分21050:電気電子材料工学関連
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研究機関 | 豊橋技術科学大学 |
研究代表者 |
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研究分担者 |
石川 靖彦 豊橋技術科学大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (60303541)
山根 啓輔 豊橋技術科学大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (80610815)
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研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2025年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2024年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2023年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
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キーワード | Group-IV Nitride / Silicon Photonics / Nonlinear Material / Reactive Sputtering |
研究開始時の研究の概要 |
Novel group-IV nitrides, “GeNx and SnNx”, are investigated, for the first time, as a potential second/third-order nonlinear optical device material in Si photonics toward on-chip optical intensity modulation and wavelength conversion.
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