ワイドギャップ半導体デバイスシミュレーションのための物性物理モデル構築

• 研究課題/領域番号: 23K03944
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分21050:電気電子材料工学関連
• 研究機関: 金沢工業大学
• 研究代表者: 山口 敦史 金沢工業大学, 工学部, 教授 (60449428)
• 研究分担者: 冨谷 茂隆 東京工業大学, 工学院, 特任教授 (40867016)
• 研究期間 (年度): 2023-04-01 – 2026-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2023年度)
• 配分額: 4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円); 2025年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円); 2024年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円); 2023年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
• キーワード: ワイドキャップ半導体 / デバイスシミュレーション / 物性物理

研究開始時の研究の概要

窒化物半導体はLEDやパワーデバイスの材料として用いられ、脱炭素社会実現に不可欠な材料である。しかし、現状ではその物性の理解が不十分であり、デバイスシミュレーションによる設計が十分できない状況にある。本研究では、シミュレーションの結果に大きな影響を与えるバンド構造・電子状態やキャリアダイナミクスについて理論的・実験的に解明し、包括的な理論モデルの構築とそれに基づく物性パラメータの決定を行う。