研究課題
基盤研究(C)
新幹線N700S系で用いられているSiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET)よりも1桁以上の低消費電力のSiC insulated-gate bipolar transistor (IGBT)を目指し、nチャネルIGBTのコレクタ層となる高濃度Al添加4H-SiCの抵抗率低減に向けた電気特性の評価を行う。高濃度Al添加4H-SiCの研究は世界ではほとんど行われていない状況で、Siでは観測できていない電気特性を我々はこれらのSiCで観測しているため、それらの物理モデルを構築する。