研究課題
基盤研究(C)
酸化ハフニウムの極薄膜で強誘電性が発現することが発見されて以降、省エネ、大容量で高速動作が可能な、これまでにない強誘電体メモリデバイスの実現に向けた研究開発が盛んに行われている。本研究で、超短パルスレーザー励起で生じるテラヘルツ波パルス測定による半導体表面ポテンシャル分布取得から、電極形成が不要で、非破壊、非接触に大面積適用可能な強誘電体デバイス評価が可能であることを実証する。