研究課題/領域番号 |
23K03956
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
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研究機関 | 豊橋技術科学大学 |
研究代表者 |
岡田 浩 豊橋技術科学大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (30324495)
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研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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配分額 *注記 |
2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
2025年度: 390千円 (直接経費: 300千円、間接経費: 90千円)
2024年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2023年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
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キーワード | 窒化物半導体 / 集積回路 / モノリシック集積 / 集積回路技術 |
研究開始時の研究の概要 |
パワーエレクトロニクス応用だけでなく、高温、放射線環境など過酷環境において安定なデバイス動作を可能にする魅力的な物性を有するGaNなどの窒化物半導体のエレクトロニクス応用に向けた技術開発や実証実験を行う。シリコンで培われてきた集積回路技術の窒化物半導体ヘテロ構造に応用し、窒化物半導体の優位性を発揮したモノリシック集積回路による新しいエレクトロニクスを拓く技術の開発と実証を行う。本研究の成果は、これまで未開拓だった窒化物半導体集積回路によるハードエレクトロニクスの開拓や、これを応用した幅広い分野への応用を目指す。
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