| 研究課題/領域番号 |
23K03971
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
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| 研究機関 | 福井大学 |
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研究代表者 |
ASUBAR JOEL 福井大学, 学術研究院工学系部門, 准教授 (10574220)
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| 研究分担者 |
谷田部 然治 熊本大学, 半導体・デジタル研究教育機構, 准教授 (00621773)
葛原 正明 関西学院大学, 工学部, 教授 (20377469)
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| 研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2025年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2024年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2023年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | Normally-off / Hi-K dielectric / AlGaN / GaN / HEMT |
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| 研究開始時の研究の概要 |
GaNの広いバンドギャップに起因する望ましい物性値により、GaN 系デバイスは、これまでにないパワー、効率、周波数レベルを実現することが可能であり、現代社会で重要な役割を担う。ただし、この優れた2DEGにより、AlGaN/GaN HEMTは、負のしきい値電圧VTHを持つノーマリーオンとなってしまう。つまりゲートに電圧が印加されていない場合でも、電流が端子(ソース-ドレイン)間に流れてしまう。このため、フェイルセーフを確保し、複雑なゲート駆動回路を組み込む必要のない、正のしきい値電圧VTHを備えた「ノーマリーオフ」デバイスの実現が必須である。
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