研究課題
基盤研究(C)
次世代の省エネデバイスとして注目を集めているSiC MOSFETにおいては、SiO2/SiC界面における高密度の界面準位に起因する低いチャネル移動度が問題となっている。我々はこれまでに、異原子導入法という独自のゲート酸化膜形成手法により、従来法の3倍を超える優れたチャネル移動度を実証してきた。本研究では過去の手法の課題であった、高チャネル移動度と酸化膜の高信頼性を両立できる新規ゲート酸化膜形成手法の確立を目指す。具体的には、フッ素系ガス添加による新しいゲート酸化膜形成手法を用いることにより界面特性の改善を試み、高性能SiC MOSFETを試作・実証する。