シミュレーションによるボルテックス－フォノン協働型スイッチング・デバイスの開発

• 研究課題/領域番号: 23K03979
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
• 研究機関: 名城大学
• 研究代表者: 井上 真澄 名城大学, 理工学部, 教授 (00203258)
• 研究期間 (年度): 2023-04-01 – 2026-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2023年度)
• 配分額: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円); 2025年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円); 2024年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円); 2023年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
• キーワード: 超伝導デバイス / ナノクライオトロン / ボルテックス / スイッチング / シミュレーション

研究開始時の研究の概要

超伝導ナノ構造を有するナノクライオトロンにおいて，ボルテックス挙動と温度変化を組み合わせたスイッチングの可能性をシミュレーションにより検討し，実現のための提言を行うことを目指す。そのために，サブテーマとして，（１）電流合流部付近の構造におけるシミュレーション，（２）チャネル部を拡張したモデルでのシミュレーション，（３）回路への接続を考慮した形状での検討，（４）有限要素法によるコーディング，の４つを設け，最終的に（５）研究の総括を行う。