研究課題
基盤研究(C)
本研究は、新しい圧電性付与方法であるACポーリングをBaTiO3、(K0.5Na0.5)NbO3 (KNN)系、(Bi0.5Na0.5)TiO3-BaTiO3 (BNT-BT)系非鉛圧電単結晶に使うことで、その圧電性を飛躍的に向上させることを目的とする。KNN系、BNT-BT系単結晶は固相結晶成長法を用いて作製し、BaTiO3単結晶は購入する。ACポーリングは条件を変えて行い、圧電性が向上する条件を明らかにする。また、その起源についても調査する。本研究により高性能な非鉛圧電単結晶材料が作製できれば環境負荷の高いPb(Zr,Ti)O3を代替することが可能となり、この問題の解決に大きく貢献できる。