環境調和型の酸化物半導体と成膜法による新規太陽電池の提案と実証

• 研究課題/領域番号: 23K04386
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分26020:無機材料および物性関連
• 研究機関: 富山高等専門学校
• 研究代表者: 喜多 正雄 富山高等専門学校, その他部局等, 准教授 (00413758)
• 研究期間 (年度): 2023-04-01 – 2026-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2023年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2025年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円); 2024年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円); 2023年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
• キーワード: 酸化物半導体 / ナローバンドギャップ / スプレーCVD / 太陽電池

研究開始時の研究の概要

大気中での化学的・熱的安定性が高い酸化物半導体の多くは，広いバンドギャップを有している．その中でバンドギャップが近赤外領域にありp型伝導を示す閃亜鉛鉱型関連構造のナローギャップ酸化物半導体Cu3VO4は単接合太陽電池の光吸収層に適した材料である．本研究課題では非真空プロセスで成膜ができるスプレーCVD法を用い，環境適合性の高い材料と成膜法で，p型にCu3VO4を用いた新規な太陽電池の基礎的知見を得ることを目的とする．