| 研究課題/領域番号 |
23K04387
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分26020:無機材料および物性関連
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| 研究機関 | 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 |
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研究代表者 |
田口 富嗣 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所 先端機能材料研究部, 上席研究員 (50354832)
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| 研究分担者 |
山本 春也 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所 先端機能材料研究部, 上席研究員 (70354941)
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| 研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2025年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2024年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2023年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
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| キーワード | 量子ビーム / 炭化ケイ素 / ナノ材料 / 微構造制御 / 水素製造 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
材料に大きなエネルギーを付与することが可能なイオン、電子線やレーザー等の量子ビーム照射によりSiC系ナノ材料のナノ構造や電子構造、電気特性の改質を行うことで、「新奇ナノ構造や欠陥導入により電子構造を変化させたSiC系ナノ材料は、優れた触媒特性を発現するか？また、そのメカニズムは？」という学術的「問い」に応えるべく課題に取り組む。これにより、量子ビーム照射法により改質された新奇SiC系ナノ材料の微構造と電子構造、電気特性、及び、水分解による水素製造の触媒能との相関関係を明らかにし、高性能SiC系ナノ触媒材料の開発を目指す。
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