研究課題
基盤研究(C)
純度99%程度の金属Siの、効率的で環境負荷の小さい、革新的な製造プロセスの開発を目指す。さらに、太陽電池グレードの金属Siの直接製造プロセスへの展開をはかる。研究では、シリコンの融点以上の温度でCaOを含む溶融CaCl2にSiO2を溶解し、金属Siを液体状態で電析させる。温度、電解電圧、浴組成が電析効率に及ぼす影響を詳しく検討する。これらの因子の影響は浴中に存在するケイ酸イオンの存在状態に関係しているものと考えており、これを学術的に検討する。さらに、金属Si電析物の純度に及ぼす諸因子の影響を検討して、高純度の金属Siを直接製造可能な電解条件を明らかにする。