| 研究課題/領域番号 |
23K04467
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分26060:金属生産および資源生産関連
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
李 明軍 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 材料・化学領域, 主任研究員 (50392808)
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| 研究分担者 |
田村 卓也 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 材料・化学領域, 上級主任研究員 (30446588)
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| 研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2025年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2024年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2023年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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| キーワード | 凝固プロセス / アルミニウム合金 / 共晶合金 / 分離晶出 / 電磁流 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
「Al-Si共晶溶湯の分離晶出現象」は、固液界面に形成される不純物濃化領域（拡散層）を機械撹拌にて消失させることにより、Al-Si共晶溶湯にて固液界面にAl初晶デンドライトが晶出、それに対をなし液相中にSi初晶粒子が晶出する分離晶出が1985年に報告されているが、現象報告のみであり、理論的解明は全く行われていない。
そこで、本研究では、電磁流下においてAl-Si共晶溶湯（12.6mass%Si）からアルミニウムデンドライトのみが成長、さらに溶湯内に晶出するSi化合物等の晶出形態を把握する事で「電磁流プロセス下でのAl-Si共晶溶湯における分離晶出メカニズム」を明らかにすることを目的としている。
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