| 研究課題/領域番号 |
23K04526
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分28020:ナノ構造物理関連
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| 研究機関 | 電気通信大学 |
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研究代表者 |
仲谷 栄伸 電気通信大学, 大学院情報理工学研究科, 教授 (20207814)
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| 研究分担者 |
山田 啓介 岐阜大学, 工学部, 准教授 (50721792)
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| 研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2025年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2024年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2023年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
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| キーワード | メモリ・ロジック / 磁気スキルミオン |
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| 研究開始時の研究の概要 |
本研究では、磁気スキルミオンの磁化構造の特性である“「カイラリティ」(左巻き/右巻き)による自由度“と、外場(電流/熱/磁場/電界)を用いた”2つの磁気スキルミオン間で起こる相互作用 (生成・消滅)“を利用して、数値シミュレーションによる論理回路の作成/設計と動作実証を行うことを目的とする。以前に申請者らが示した技術を利用し [Y. Nakatani et al., Sci.Rep.9,13475(2019) & Sci.Rep.11,8415(2021)]、加えて外場による制御方法を模索することで、磁気スキルミオンを利用したメモリ・ロジック素子の構築を目指していく。
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