ヘテロ固体界面における原子層物質の成長

• 研究課題/領域番号: 23K04530
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分28030:ナノ材料科学関連
• 研究機関: 埼玉大学
• 研究代表者: LIM HONGEN 埼玉大学, 理工学研究科, 助教 (20794861)
• 研究期間 (年度): 2023-04-01 – 2026-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2023年度)
• 配分額: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円); 2025年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円); 2024年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円); 2023年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
• キーワード: 原子層物質 / 遷移金属ダイカルコゲナイド / 化学気相成長 / CVD

研究開始時の研究の概要

原子層物質（原子1個-数個分の厚みを持つ極薄膜）は、基板上に成長させるのが一般的だが、この方法では表面に不純物が吸着するという課題があった。本研究では金薄膜とSiO2基板間への原子層物質の直接成長に着眼し、その閉じ込め空間に成長を支配される要因の解明、高品質な原子層物質の集積化に向けた結晶方位制御合成、そして電子デバイス応用に向けた基盤技術を構築することを目指す。