研究課題
基盤研究(C)
新たな機能性半導体材料として注目を集めているMoS2やWSe2などの遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)のヘテロ積層構造を分子線エピタキシー(MBE)法を用いて作製する方法を開発する。本研究では、(i) アルカリ金属添加および(ii) 酸化物原料を用いたMBE成長技術を確立し、成長核の発生過程を高精度で制御することにより、従来法では得られないウエハスケールで方位の揃った低欠陥TMDCヘテロ積層構造の実現を目指す。