| 研究課題/領域番号 |
23K04599
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分30010:結晶工学関連
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| 研究機関 | 山梨大学 |
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研究代表者 |
山中 淳二 山梨大学, 大学院総合研究部, 准教授 (20293441)
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| 研究分担者 |
有元 圭介 山梨大学, 大学院総合研究部, 准教授 (30345699)
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| 研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2025年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2024年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2023年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
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| キーワード | 透過電子顕微鏡 / ナノビーム電子回折 / STEMモアレ |
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| 研究開始時の研究の概要 |
構造敏感性をもつ半導体薄膜の歪分布を高空間分解能で広範囲に可視化するという学問的意義と、これを汎用装置で実現するというエンジニアリング的意義を持つ研究である。これらの目的を達成するために、A:走査透過電子顕微鏡(STEM)のモアレを活用する手法と、B:ナノビーム電子回折(NBD)の新しいデータ読み取り方法を導入した手法で、研究を進める。本研究では対象材料をSiGe/Si(110)に的を絞るが、汎用透過電子顕微鏡を利用して固体材料の微小領域の格子定数などを評価する本研究で用いる手法が完成すれば、他の半導体薄膜は勿論のこと、析出強化型合金などの他の結晶系材料にも応用可能となる。
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