シリコンオンサファイア表面を用いた二硫化タングステン二次元結晶膜高配向大面積成長

• 研究課題/領域番号: 23K04601
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分30010:結晶工学関連
• 研究機関: 大阪大学
• 研究代表者: 川合 健太郎 大阪大学, 大学院工学研究科, 招へい研究員 (90514464)
• 研究期間 (年度): 2023-04-01 – 2026-03-31
• 研究課題ステータス: 採択後辞退 (2023年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2025年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円); 2024年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円); 2023年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)