GaN中における複合空孔欠陥集合反応機構の解明

• 研究課題/領域番号: 23K04602
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分30010:結晶工学関連
• 研究機関: 和歌山大学
• 研究代表者: 小田 将人 和歌山大学, システム工学部, 准教授 (70452539)
• 研究期間 (年度): 2023-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2023年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2026年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円); 2025年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円); 2024年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円); 2023年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
• キーワード: 第一原理計算 / 電子格子相互作用 / 欠陥反応 / 窒化ガリウム

研究開始時の研究の概要

次世代パワーデバイスに向けたチャネル材料の有力な候補として窒化ガリウム(GaN)が注目を集めている。しかし、GaNは欠陥密度が大きいことがよく知られており、デバイス構造作製時にアニール処理を行うと各種欠陥が移動・集合し大型欠陥へと成長してしまうことが応用への大きな問題となっている。この問題を解決するためには、欠陥が移動・集合する際のミクロな反応機構を明らかにする必要がある。本研究では、第一原理電子状態計算を用いてGaN中における欠陥移動・集合のミクロな機構を理論的に明らかにする。