研究課題/領域番号 |
23K04605
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分30010:結晶工学関連
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研究機関 | 東京電機大学 |
研究代表者 |
小曽根 崇 東京電機大学, 理工学部, 准教授 (90595802)
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研究分担者 |
北澤 孝史 東邦大学, 理学部, 教授 (60246767)
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研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2027-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2026年度: 390千円 (直接経費: 300千円、間接経費: 90千円)
2025年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2024年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2023年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
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キーワード | 配位高分子 / 置換反応 / スピンクロスオーバー |
研究開始時の研究の概要 |
固体アクア錯体を用いた配位子交換反応による精密結晶構造制御手法の開発 層状高分子構造を有する化合物群について、一定の層状構造を保ったまま層の面に対して垂直方向に結合した分子のみを修飾する合成手法について研究を行う。 金属イオンを有機物で連結して高分子状の構造にした化合物群はその構造に起因して、様々な物理的性質を発現することが知られている。本研究では構造を系統的に修飾することで、発現する機能の設計性を検討していく。
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