| 研究課題/領域番号 |
23K04607
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分30010:結晶工学関連
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| 研究機関 | 中京大学 |
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研究代表者 |
須田 潤 中京大学, 工学部, 教授 (20369903)
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| 研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2025年度: 520千円 (直接経費: 400千円、間接経費: 120千円)
2024年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2023年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
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| キーワード | ワイドギャップ半導体 / 結晶欠陥分布 / 電子物性 / 高温ラマン分光 / 熱応力 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
ワイドギャップ半導体を用いたバイポーラデバイスにおいて結晶欠陥の１つである，転位と積層欠陥の伝播と拡大による順方向電圧の低下は深刻な問題であり，高温動作が主となる次世代パワーデバイスにおいて半導体電極界面の熱応力の結晶欠陥への影響を明らかにすることは極めて重要な問題である．本研究では高温領域の電極付ワイドギャップ半導体やその実デバイスの半導体電極界面や半導体内部のラマンイメージングの温度依存性の実験を行い, 結晶欠陥の熱応力分布を直接，観測するとともに半導体電極界面の高温電子物性を求め，FEM解析による熱応力計算より，半導体電極界面の熱応力により発生する結晶欠陥分布と電子物性の関係を解明する．
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