ウェットプロセスによる酸化モリブデンーシリコンヘテロ接合型太陽電池の研究開発

• 研究課題/領域番号: 23K04645
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分31020:地球資源工学およびエネルギー学関連
• 研究機関: 弘前大学
• 研究代表者: 渡邊 良祐 弘前大学, 理工学研究科, 准教授 (70557735)
• 研究期間 (年度): 2023-04-01 – 2026-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2023年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2025年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円); 2024年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円); 2023年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
• キーワード: シリコンヘテロ接合太陽電池 / 酸化モリブデン / ゾルゲル法 / 仕事関数

研究開始時の研究の概要

安価かつ簡便な薄膜作製手法であるウェットプロセスにより、良好な電気的特性を持つ酸化モリブデン（MoOx）膜の作製、またこれを用いたSiヘテロ接合太陽電池の光電変換効率の向上を目指す。その際、MoOxへの不純物ドープによる導電率向上を試みる。さらに、ヘテロ接合界面にアルミナパッシベーティングコンタクト層を導入することで、接合界面での光励起キャリアの再結合損失の抑制を図る。
本手法を用いた、良好なヘテロ接合界面を持つ高効率太陽電池の作製指針を得ることにより、太陽電池の製造コスト低減、またウェットプロセスを用いたデバイス作製の発展に資することを目的とする。