研究課題
基盤研究(C)
物質の電子状態・物性は、その物質の電子バンドの詰まり具合、すなわち「バンド充填率」に強く依存する。本研究では、独自の発想に基づく分子設計により、バンド充填率が 1/2 ではない初めての中性ラジカル固体を開発し、超伝導など中性ラジカル固体の新たな電子相・物性を開拓する。さらに、バンド充填率を 1/2 から変調するための分子設計指針・方法論を探索・確立し、物質探索空間の飛躍的な拡張、分子性導体・分子性固体の新領域の創出につなげる。
