研究課題
基盤研究(C)
新たな電子受容性分子として開発された全フッ素化キュバンについて,分子骨格内部の空間を利用した電子伝導の実現を目標として研究を行う。具体的には,全フッ素化キュバンの単分子伝導度を測定することで,電子伝導の可否を調べる。また,全フッ素化キュバンが複数結合した分子を新たに合成し,全フッ素化キュバン間で電子が移動するかどうかを調べる。全フッ素化キュバンの個数を変えて系統的に調査することで,電子伝導機構について知見を得る。本研究は,単分子伝導の分野における“常識的な分子設計”とは一線を画す,新たな導電性分子の設計指針を示すものである。