遷移金属-フォトレドックス二元触媒系によるフッ化アシルを用いたカルボフッ素化法

• 研究課題/領域番号: 23K04757
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分33020:有機合成化学関連
• 研究機関: 東京理科大学
• 研究代表者: 坂井 教郎 東京理科大学, 創域理工学部先端化学科, 教授 (00328569)
• 研究期間 (年度): 2023-04-01 – 2026-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2023年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2025年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円); 2024年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円); 2023年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
• キーワード: 炭素-フッ素結合活性化

研究開始時の研究の概要

炭素とフッ素結合は、他の炭素とハロゲン結合と比較して、その結合エネルギーが非常に大きいことから安定でその切断は容易ではない。しかし、新しい金属触媒と光レドックス触媒を用いて、この炭素とフッ素結合を容易に切断し、別の原子（官能基）と繋ぎ合わせることが自由自在にできれば、究極的にはフロンガスの分解など環境問題等を有機合成化学の手法を用いて解決することも可能となり、その研究意義は非常に大きい。以上の観点から研究を鋭意遂行していく。