ヘリカル反強磁性導電性高分子の開発

• 研究課題/領域番号: 23K04848
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分35020:高分子材料関連
• 研究機関: 筑波大学
• 研究代表者: 後藤 博正 筑波大学, 数理物質系, 准教授 (40292528)
• 研究期間 (年度): 2023-04-01 – 2026-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2023年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2025年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円); 2024年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円); 2023年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
• キーワード: 磁性 / ヘリカル / キラル / 高分子 / 導電性

研究開始時の研究の概要

ヘリカル磁性は反強磁性を示すことが理論的に示されている。本研究ではスピンがキラルなヘリカル状態を形成する「反強磁性ヘリカル導電性高分子」を実現し、その電気伝導性・磁性を評価する。スピンの位置がキラルであればそのスピンの作るダイポールの場もキラルとなる。そしてキラルな構造中に配置されたスピンもキラルな配列になる。この高分子を合成するために、光学活性なヘリカル構造をもつ導電性高分子錯体を液晶反応場で合成する。これにより磁気・光学的異方性の制御可能な反強磁性ヘリカルキラル有機材料の開発を行う。