高分子銅錯体のコンフォメーションに基づく触媒活性制御と創薬への展開

• 研究課題/領域番号: 23K04867
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分35020:高分子材料関連
• 研究機関: 東京女子医科大学
• 研究代表者: 大澤 重仁 東京女子医科大学, 医学部, 特任助教 (30780663)
• 研究期間 (年度): 2023-04-01 – 2026-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2023年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2025年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円); 2024年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円); 2023年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
• キーワード: フェントン様反応 / 配位子設計 / 抗菌剤 / 抗がん剤

研究開始時の研究の概要

高分子銅錯体の局所濃縮触媒反応場について理解するため、高分子一本中に含まれる銅錯体の数や、親水/疎水性バランスに基づく高分子の広がり制御により、見かけ上高分子中での銅錯体濃度が異なる反応場を構築する。これらの過酸化水素分解に対する触媒活性とヒドロキシラジカル産生能を比較評価し、高分子の様態と触媒活性の関係について理解を深める。また、過酸化水素の発生量が多いがん細胞や菌に対して毒性を示すが、正常細胞に対しては毒性を示さない高分子の選定を行い、高分子銅錯体を基盤とした抗菌剤や抗がん剤開発への展望を広げる。