研究課題/領域番号 |
23K04895
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分36010:無機物質および無機材料化学関連
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研究機関 | 神奈川大学 |
研究代表者 |
廣津 昌和 神奈川大学, 理学部, 教授 (30312903)
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研究分担者 |
桑村 直人 工学院大学, 教育推進機構(公私立大学の部局等), 准教授 (80643791)
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研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2025年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2024年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2023年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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キーワード | 二次元シート / 電解合成 / C3対称 / シッフ塩基錯体 / キラリティー |
研究開始時の研究の概要 |
電解酸化による炭素-炭素結合形成反応を利用して、C3対称の金属錯体を均一に連結することができれば、二次元シート状物質の作製において、積層数や積層パターンの電気化学的な制御が可能となる。本研究では、キラルなC3対称シッフ塩基ニッケル錯体を基本単位とし、電解による炭素-炭素結合形成過程を経て二次元シートを構築する方法を確立する。その上で、対掌体から作製したキラルなシートを交互に積層することにより、電解プロセスの利点であるパターン操作を検証する。
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