研究課題
若手研究
AI・IoT技術の発展により更なる低電圧・低消費電力FET技術が求められており、中でも急峻なサブスレッショルドスイング(S値)が得られるバンド間トンネルトランジスタ(TFET)の実用化が期待されている。しかし、妥当な性能を達成するため、オン電流の増加や十分広いゲート電圧範囲でのS値の低減など、実用化まで喫緊の課題となっている。本研究は、未来エレクトロニクス産業界の指針になるよう最先端高性能・高信頼性Ge/MoX2 TFETの創出を目指す。