酸化ハフニウム基強誘電体のナノロッド化による分極方位制御と圧電特性向上

• 研究課題/領域番号: 23K13364
• 研究種目: 若手研究
• 配分区分: 基金
• 審査区分: 小区分21050:電気電子材料工学関連
• 研究機関: 東京工業大学
• 研究代表者: 岡本 一輝 東京工業大学, 物質理工学院, 助教 (60965937)
• 研究期間 (年度): 2023-04-01 – 2025-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2023年度)
• 配分額: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円); 2024年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円); 2023年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
• キーワード: 強誘電体 / ナノ構造 / 圧電体

研究開始時の研究の概要

本研究の目的は一次元的なロッド形状をもつナノ構造であるナノロッド構造で特有な脱分極電界により酸化ハフニウム基強誘電体の圧電特性向上を実現することである。近年強誘電体材料として注目されている酸化ハフニウム基強誘電体の電気エネルギーと機械エネルギーを相互変換可能な圧電体材料としての可能性を開拓及び発展を目指す。酸化ハフニウム基強誘電体を用いてナノロッド構造を作製し、側面の不完全な電荷遮蔽がもたらす脱分極電界を通した材料特性制御手法の確立を目指す。