窒化ガリウムMOSデバイスにおけるキャリア散乱機構の研究

• 研究課題/領域番号: 23K13367
• 研究種目: 若手研究
• 配分区分: 基金
• 審査区分: 小区分21050:電気電子材料工学関連
• 研究機関: 大阪大学
• 研究代表者: 小林 拓真 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教 (20827711)
• 研究期間 (年度): 2023-04-01 – 2025-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2023年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2024年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円); 2023年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
• キーワード: GaN / MOSFET / 界面欠陥 / 移動度 / キャリア散乱

研究開始時の研究の概要

窒化ガリウム（GaN）は、パワーおよび高周波デバイス応用に適したワイドギャップ半導体である。スイッチングデバイスとして、ノーマリオフと高電圧動作を両立できるGaN 金属-酸化膜-半導体（MOS）デバイスが期待されている。しかし、GaN MOS構造界面におけるキャリア散乱機構の理解は十分に進展していない。本研究では、異なる界面構造を有するGaN MOSデバイスの電気的評価および物理分析を通じ、移動度制限要因の理解を目指す。これにより、高性能GaN MOSデバイスの実現に貢献する。