イオン注入法でのドーパント注入によるダイヤモンド半導体の電気伝導制御の確立

研究課題

研究課題/領域番号	23K13369
研究種目	若手研究
配分区分	基金
審査区分	小区分21050:電気電子材料工学関連
研究機関	神奈川大学
研究代表者	関裕平神奈川大学, 付置研究所, 研究員 (70937367)
研究期間 (年度)	2023-04-01 – 2026-03-31
研究課題ステータス	交付 (2023年度)
配分額 *注記	4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円) 2025年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円) 2024年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円) 2023年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
キーワード	ダイヤモンド / パワーデバイス / 半導体 / イオン注入 / 不純物ドーピング
研究開始時の研究の概要	ダイヤモンド半導体は、次世代のパワーデバイス半導体材料として期待され、これまで50年以上世界で精力的に研究されているがいまだに実現に至っていない。理由の一つとしてイオン注入での不純物ドーピングによるp型、n型の電気伝導制御ができていないことが挙げられる。本研究では、イオン注入したダイヤモンド中の結晶欠陥や注入した不純物の化学的結合状態を詳細に調べ、電気的活性化を阻害する原因とその改善方法を明らかにし、イオン注入によるダイヤモンド半導体へのドーパントドーピング技術を確立させる。